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辰微电子申请带磁器件的集成封装结构及其引线框架专利,提高产品隔离耐压能力

2026年03月14日 00:42
 

国家知识产权局信息显示,广州辰微电子科技有限公司申请一项名为“一种带磁器件的集成封装结构及其引线框架”的专利,公开号CN121054612A,申请日期为2025年11月。专利摘要显示,本发明公开了一种带磁器件的集成封装结构,包括磁器件和引线框架,引线框架上设置有支撑板,支撑板连接引脚,用以装配磁器件和电子元件并实现电气连接,所述支撑板有两块,为对开分布结构,分别设于两侧,一侧支撑板呈两级阶梯形状,包括窄阶梯面和宽阶梯面,并在两级阶梯衔接位置的宽阶梯面上开设有倒角,用以在磁器件下方形成间隔逐渐变大的隔离槽;磁器件的四角分别定位在支撑板的窄阶梯面的两端及宽阶梯面有倒角处的两端,用以形成四点定位。与现有技术相比,本发明可增大塑封料填充体积,提高产品隔离耐压能力,提高了变压器与载板的绝缘隔离耐压。

天眼查资料显示,广州辰微电子科技有限公司,成立于2024年,位于广州市,是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析,广州辰微电子科技有限公司参与招投标项目2次,财产线索方面有商标信息5条,专利信息6条,此外企业还拥有行政许可13个。

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